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MDPpro 850+少子壽命測試儀用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。特征直拉硅單晶硅錠中的滑移線壽命范圍20ns至100ms（樣品電阻率>0.3Ohmcm）SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110測試速度線掃描<30s完整的面掃秒<5min同時(shí)測量壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率直拉硅單晶硅錠中的滑移線自動幾 -
RESmap電阻率測試儀特征電阻率的非接觸式測量和成像高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化信號靈敏度基于線圈頻率讀數(shù)（正在申請專利）的高信號靈敏度，可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確可靠的電阻率測量，并具有高再現(xiàn)性和可重復(fù)性測量時(shí)間測量時(shí)間<3s，測量之間時(shí)間<1s測量速度200mm晶圓/晶錠<30s，9個(gè)點(diǎn)多點(diǎn)測量及測繪顯示最高9999個(gè)點(diǎn)材料外形尺寸平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜X-Y -
MDpicts 微波探測光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀MDpicts微波探測光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀圖1.與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)靈敏度：半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷分析的高靈敏度溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒沾污檢測：電學(xué)陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等重復(fù)性：>99.5%，測量時(shí)間：<60分鐘。液氮消耗：2升/次靈活性：從365nm到1 -
MDPmap 晶圓片壽命檢測儀特性靈敏度：對外延工藝監(jiān)控和不可見缺陷檢測，具有可視化測試的高分辨率測量速度：6英寸硅晶圓片，1mm分辨率，小于5分鐘壽命測試范圍:20納秒到幾十毫秒沾污檢測：源自坩堝和生長設(shè)備的金屬(Fe)污染測量能力：從初始切割的晶圓片到所有工藝加工的樣品靈活性：允許外部激光通過觸發(fā)器，與探測模塊耦合可靠性：模塊化和緊湊臺式儀器，更高可靠性，正常運(yùn)行時(shí)間>99%重現(xiàn)性：>99.5%電阻率：無需 -
MDPspot 單點(diǎn)壽命檢測儀桌面單點(diǎn)測量低成本的臺式少子壽命測量系統(tǒng)，對不同制備階段的硅材料電學(xué)參數(shù)進(jìn)行表征。沒有內(nèi)置自動化?？蛇x配手動z軸，用于厚度在156毫米以下的晶錠。MDPspot可配電阻率測試選項(xiàng)。僅適用于硅，用于晶圓片，也可用于晶錠。結(jié)果可視化的標(biāo)準(zhǔn)軟件。特性無接觸和非破壞的電學(xué)參數(shù)測試對外延工藝監(jiān)控和不可見缺陷檢測，具有高分辨的可視化測試對于不同級別晶圓片，提供不同的菜單選項(xiàng)優(yōu)勢用于不同制備階段，從成體到最 -
MDPinline ingot 晶錠在線面掃檢測儀MDPinlineingot系統(tǒng)是一種多晶硅晶錠電學(xué)參數(shù)特性測量工具。它是專為高通量工廠的單塊晶錠測試而研發(fā)的。每塊晶錠可以在不到一分鐘時(shí)間里測量其四面。所有的圖譜(壽命，光電導(dǎo)率，電阻率)都是同時(shí)測量的。該系統(tǒng)包括一個(gè)數(shù)據(jù)庫和統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)評估，可用于自動確定精確的切割位置，以提高成品率。用于材料質(zhì)量監(jiān)控，爐選擇和工藝改進(jìn)。性能無接觸破壞的半導(dǎo)體特性少數(shù)載流子壽命的檢測能力Automateddet -
MDPinline 晶圓片在線面掃檢測儀MDPinline是一種用于快速定量測量載流子壽命并集成掃描功能的檢測儀。通過工廠安裝的傳送帶將晶圓片移至儀器，在不到一秒的時(shí)間內(nèi)，就可以“動態(tài)”測量出晶圓圖。該儀器本身不使用機(jī)械運(yùn)動部件，因此在連續(xù)操作下也非?？煽?。它為每個(gè)晶圓片提供完整的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這為提高生產(chǎn)線的成本效益和效率提供了新的途徑。例如，在不到3個(gè)小時(shí)的時(shí)間內(nèi)，對10000個(gè)晶圓片的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行自動統(tǒng)計(jì)評 -
MDPpro 晶圓片/晶錠壽命檢測儀根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110的非接觸式和無損成像(μPCD/MDP(QSS))、光電導(dǎo)性、電阻率和p/n檢查。晶圓切割，爐內(nèi)監(jiān)控，材料優(yōu)化等。日常壽命測量，質(zhì)量控制和檢驗(yàn)產(chǎn)量：>240塊/天或>720片/天測量速度：對于156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠，<4分鐘良品率提升：1mm切割標(biāo)準(zhǔn)為156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠質(zhì)量控制：用于過程和材料的質(zhì)量監(jiān)控，如單晶
